Wyprzedaż trwa!
Dysk SSD Gigabyte 1TB SATA3 2,5" (550/500 MB/s) 3D NAND 7mm
Symbol:
GP-GSTFS31100TNTD
Wpisz swój e-mail |
Opinie | |
Wysyłka w ciągu | 24 godziny |
Cena przesyłki | 0 |
Dostępność | 0 szt. |
Kod kreskowy | |
EAN | 4719331804565 |
Zostaw telefon
Pojemność dysku: 1 TB
Format dysku: 2,5 cala
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: SATA III (6 Gb/s)
Typ złącza: 7-pin S-ATA
Prędkość odczytu (max): 550 MB/s
Prędkość zapisu (max): 500 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 600.0
Odczyt losowy: 75000 IOPS
Zapis losowy: 85000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 2000000 h
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: NAND: 3D NAND Flash, Power Consumption (Active): Średnio: R : 2240mW; W : 2610mW, Power Consumption (Idle): 330mW, Temperature (Operating): 0°C to 70°C, Temperature (Storage): -40°C do 85°C, Dimension (WxH): 69.85 x 7 x 100 mm, Limited 3-years or 600TBW
Gwarancja producenta: 36
Format dysku: 2,5 cala
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: SATA III (6 Gb/s)
Typ złącza: 7-pin S-ATA
Prędkość odczytu (max): 550 MB/s
Prędkość zapisu (max): 500 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 600.0
Odczyt losowy: 75000 IOPS
Zapis losowy: 85000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 2000000 h
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: NAND: 3D NAND Flash, Power Consumption (Active): Średnio: R : 2240mW; W : 2610mW, Power Consumption (Idle): 330mW, Temperature (Operating): 0°C to 70°C, Temperature (Storage): -40°C do 85°C, Dimension (WxH): 69.85 x 7 x 100 mm, Limited 3-years or 600TBW
Gwarancja producenta: 36
Gwarancja producenta:
36
Kolor obudowy:
Czarny (Black)
Interfejs:
SATA III (6 Gb/s)
Pojemność dysku:
1 TB
Format dysku:
2,5 cala
Typ dysku:
SSD
Typ złącza:
7-pin S-ATA
Prędkość odczytu (max):
550 MB/s
Prędkość zapisu (max):
500 MB/s
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
2000000 h
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
TBW (ang. Total Bytes Written):
600.0
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Odczyt losowy:
75000 IOPS
Zapis losowy:
85000 IOPS
Typ kości pamięci:
3D NAND